年的整机质保。要求供给高效的装置、训练、保护和保养等服务。供给设备终身技术上的支撑和软件晋级。

  4.2k，冷头制冷功率@4.2K>

  1.5W，样品台振荡10nm，兼容超高线 pa），，质保期不低于1,交货期不超越6个月，供给送货装置调试。4502025年6月

  /输出光路接口，15,000 – 350 cm-1的光谱规模，优于0.06 cm-1的分辨率，10年原厂质保的气浮式迈克尔逊干涉仪，高精度He-Ne激光器。1732025年6月

  时的交直流差2e-6；低热电势切换开关的热电势不超越100 nV；噪声布景不高于1.6 nV/√Hz。2202025年6月

  ；数据剖析模块分辨率到达24位，采样频率不低于2 MS/s。2072025年6月

  个；经过接纳段开关操控器的驱动信号时注册，操控电机定子通流发生推力。21452025年6月

  个；对超级电容模组里边的单体超容进行电压、温度的检测。2412025年6月

  个；当体系要输出时，操控器宣布光信号给输出开关，操控输出。1592025年6月

  高速的注册关断，以此来操控充电机的输出电压电流，以及和上位机通讯传输数据。2932025年6月

  个传感器，用于感应动子切换杆，经过光电转化组件将感应到的电信号转化为电信号，经过光电混合衔接组件将信号发送至上位体系，合计480

  操控器内箱体为装置各种板卡，操控器内箱体装置在操控器外箱体中，接口与外箱体上的航插组件进行衔接，每台段开关操控器需求一套操控器内箱体结构件。共需40

  装置操控器内箱体、开关电源、滤波器、航插组件等，需求外箱体装置在塔架上，每一台段开关操控器需求1

  套质保期: 1年以上售后维保:国内有必要设有保护点;24小时修理呼应。2052025年6月

  需求1套；磁场强度12T；室温孔径大于150mm；中心方位30mm直径规模内磁场不均匀度小于0.1%；磁体带超导开关，磁场安稳性小于1ppm/h；漏磁4m外小于10Gs；供给产品的调试、装置和运用训练；质保期不低于18个月。

  需求一套，该体系要能保证晶体成长过程中的温场安稳性和机械体系安稳性，为晶体成长供给安稳的成长环境，完成高质量单晶成长。

  需求一套；选用一体化机体，HF气体不走漏；可包容1片4晶圆，片内均匀性12% （在100a/min刻蚀条件下）；片间重复性：12%；；质保期不低于12个月,交货期不超越12个月，供给送货装置调试。

  能够供给高于16T的强磁场环境，室温孔直径大于100mm，中心磁场方位，20mm圆柱的场不均匀度小于0.1%；包括脉管制冷机、磁体本体、高精度电源及温 度计表头；供给设备的送货、装置、调试和保护。

  需求1套；包括定制抗震渠道；外表描摹重复性小于0.08nm（均方值小于0.008nm）；质保期不低于1年,交货期不超越8个月，供给送货装置调试。

  需求1套；温度不高于2K；振荡低于10nm；具有光纤、射频接口；具有光学窗口；质保期不低于1年,交货期不超越12个月，供给送货装置调试。

  需求1套；LO频率20GHz，基带调制带宽2GHz，双通道输出，基带采样率4800MHz，无杂散动态规模>

  55dB；质保期不低于1年,交货期不超越10个月，供给送货装置调试。

  需1套，二次电子分辨率优于1nm，最大扩大倍率不小于1,000,000倍（底片扩大倍率），电子束束流安稳性优于0.2%/h，装备五轴马达驱动样品台；质保期不低于一年，交货期不超越1年，供给送货装置调试。

  需求一套；该设备要完成硅酸钇、钨酸钙等晶体的高质量化学气相堆积成长。质保期不低于12个月，供给送货装置调试以及晶体成长辅导。

  需1套；单台设备中装置4个勘探通道；中心波段1535nm，勘探功率80%，暗计数小于10cps,时刻颤动小于50ps,最大计数率5MHz，带门控形式；供给送货装置调试。

  需求1套；温度挨近350mK，振荡低于25nm，配套强磁场；具有光纤、射频接口；具有光学窗口；质保期不低于1年,交货期不超越12个月，供给送货装置调试。

  需求1套；深反响刻蚀功率5 kW，射频功率300W，工艺温度0-60℃，可运用氧、氩和含氟气体，满意硅、SOI、氧化硅、氮化硅等微纳米结构刻蚀需求；质保期不低于12个月,交货期不超越12个月，供给送货装置调试。

  需1套；方舱长度：≥8米，望远镜10°以上无遮挡；方舱淋雨强度：6mm/min，淋雨30min方舱无漏水渗水，方舱打开速度小于3min，风速10m/s可正常作业，作业室方舱温度恒定在15°C～+25°C；质保期不低于5年，交货期不超越1年。

  需1套；圆顶直径：≥8米，方位速度：≥10°/s，俯仰速度：≥4°/s，随动精度：优于0.1°/s；质保期不低于5年，交货期不超越1年。